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射频功率放大器模块

Axiro 提供基于强大的 GaN 技术构建的射频功率放大器模块，具有先进的多芯片集成和紧凑的外形，具有 50 欧姆输入和输出接口。它们专为宽带、DPD 友好型操作而设计，可提供高增益和效率以及强大的热性能，支持宏、大规模 MIMO 和小型基站无线电平台的 4G/5G FDD 和 TDD 载波聚合。

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部件号 (7)

F82300

适用于 4G/5G 应用的 758MHz 至 821MHz 22W、35dB 功率放大器模块

描述

功率放大器模块，758 - 821MHz，22.5W，35dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

758

最大射频频率 (MHz)

821

增益 (dB)

35

OP3dB (典型值)(dBm)

51.5

峰值功率 (Typ)(dBm)

52

电源电压 (V)

40

Die Technology

GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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F82302

适用于 4G/5G 应用的 925MHz 至 960MHz 17W、35dB 功率放大器模块

描述

功放模块，925 - 960MHz，17W，35dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

925

最大射频频率 (MHz)

960

增益 (dB)

35

OP3dB (典型值)(dBm)

50.4

峰值功率 (Typ)(dBm)

50.5

电源电压 (V)

48

Die Technology

GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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描述

功放模块1800 - 2200MHz，16W，45dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

1800

最大射频频率 (MHz)

2200

增益 (dB)

45

OP3dB (典型值)(dBm)

52

峰值功率 (Typ)(dBm)

52.5

电源电压 (V)

5, 48

Die Technology

GaAs, GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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F84012

适用于 4G/5G 应用的 1.805GHz 至 1.88GHz 13W、45dB 功率放大器模块

描述

Power Amplifier Module, 1805 - 1880MHz, 13W, 45dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

1805

最大射频频率 (MHz)

1880

增益 (dB)

45

OP3dB (典型值)(dBm)

49.3

峰值功率 (Typ)(dBm)

51

电源电压 (V)

5,40

Die Technology

GaAs, GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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F84014

适用于 4G/5G 应用的 2.11GHz 至 2.17GHz 9W、45dB 功率放大器模块

描述

Power Amplifier Module, 2110 - 2170MHz, 9W, 45dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

2110

最大射频频率 (MHz)

2170

增益 (dB)

45

OP3dB (典型值)(dBm)

49.6

峰值功率 (Typ)(dBm)

50

电源电压 (V)

5,40

Die Technology

GaAs, GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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F84022

适用于 4G/5G 应用的 2.496GHz 至 2.69GHz 13W、45dB 功率放大器模块

描述

Power Amplifier Module, 2496 - 2690MHz, 13W, 45dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

2496

最大射频频率 (MHz)

2690

增益 (dB)

45

OP3dB (典型值)(dBm)

50.4

峰值功率 (Typ)(dBm)

51

电源电压 (V)

5, 48

Die Technology

GaAs, GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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F84316

适用于 4G/5G 应用的 1432MHz 至 1517MHz 4W、32dB 宏驱动器功率放大器模块

描述

Single Section Macro Driver Power Amplifier Module, 1432 - 1517MHz, 4W, 32dB

地位

active

射频频率最小值 (MHz)

1432

最大射频频率 (MHz)

1517

增益 (dB)

32

OP3dB (典型值)(dBm)

48.8

峰值功率 (Typ)(dBm)

50

电源电压 (V)

50

Die Technology

GaN

封装 (mm)

20mm x 18mm, 22-pin LGA

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射频频率最小值 (MHz)
最大射频频率 (MHz)
增益 (dB)
OP3dB (典型值)(dBm)
峰值功率 (Typ)(dBm)
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Die Technology
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F82300
适用于 4G/5G 应用的 758MHz 至 821MHz 22W、35dB 功率放大器模块
功率放大器模块，758 - 821MHz，22.5W，35dB Active 758 821 35 51.5 52 40 GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA
F82302
适用于 4G/5G 应用的 925MHz 至 960MHz 17W、35dB 功率放大器模块
功放模块，925 - 960MHz，17W，35dB Active 925 960 35 50.4 50.5 48 GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA
F84010
0
功放模块1800 - 2200MHz，16W，45dB Active 1800 2200 45 52 52.5 5, 48 GaAs, GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA
F84012
适用于 4G/5G 应用的 1.805GHz 至 1.88GHz 13W、45dB 功率放大器模块
Power Amplifier Module, 1805 - 1880MHz, 13W, 45dB Active 1805 1880 45 49.3 51 5,40 GaAs, GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA
F84014
适用于 4G/5G 应用的 2.11GHz 至 2.17GHz 9W、45dB 功率放大器模块
Power Amplifier Module, 2110 - 2170MHz, 9W, 45dB Active 2110 2170 45 49.6 50 5,40 GaAs, GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA
F84022
适用于 4G/5G 应用的 2.496GHz 至 2.69GHz 13W、45dB 功率放大器模块
Power Amplifier Module, 2496 - 2690MHz, 13W, 45dB Active 2496 2690 45 50.4 51 5, 48 GaAs, GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA
F84316
适用于 4G/5G 应用的 1432MHz 至 1517MHz 4W、32dB 宏驱动器功率放大器模块
Single Section Macro Driver Power Amplifier Module, 1432 - 1517MHz, 4W, 32dB Active 1432 1517 32 48.8 50 50 GaN 20mm x 18mm, 22-pin LGA