产品详情
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极低的插入损耗：0.45 dB @ 1 GHz
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高输入 IP3：+65 dBm
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RF1 至 RF2 隔离度：72 dB @ 1 GHz
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1针或2针设备控制选项
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低直流电流；使用 3.3V 逻辑时电流为 50μA
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单正电源电压：3.3 V
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3.3 V 或 1.8 V 用户可选控制逻辑
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工作温度 -55°C 至 +125°C
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4x4 20 引脚 TQFN 封装
IDT F2912 是一款高可靠性、低插入损耗 50? SPDT (SP2T) 吸收式射频开关设计用于多种无线和其他射频应用。该器件覆盖 0.009 MHz 至 9000 MHz 的宽频率范围。除了提供低插入损耗外，F2912 还提供出色的线性度和隔离性能，同时为未使用的射频输入端口提供 50 欧姆终端。
F2912 使用 3.3V 的单正电源电压，支持使用 3.3V 或 1.8V 用户可选控制电压的三种状态。附加功能包括模式 CTL 引脚，允许用户通过 1 引脚或两引脚控制来控制设备。
产品文档
类型
姓名
日期
动作
数据表
2025-08-25
F2912 数据表
pdf |
2.18 MB
Product Brief
2025-08-25
射频开关 Family
pdf |
438.02 KB
Model - S-parameter
2025-08-25
F2912 S-Parameters
zip |
438.55 KB
Report
2025-08-25
PCN# : 220029 Add Alternate Assembly 地点s on VFQFPN and LGA 包裹s
pdf |
517.44 KB
Boards and Kits
Evaluation Board for 高 Reliability SP2T RF Switch F2912
The F2912EVBI is the Evaluation Board for 高 Reliability SP2T RF Switch F2912.
部件号 (2)
F2912NCGI
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F2912NCGI8
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