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F2970

75 欧姆 SP2T 射频开关

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  • 单刀双掷 (SPDT),隔离端口上具有吸收性终端
  • 5MHz 至 3000MHz 范围内的领先性能射频
    • 隔离度:1200MHz 时为 68dB
    • 插入损耗:1200MHz 时为 0.32dB
  • 85 °C 时的高连续射频 CW 功率处理能力
    • 所选射频路径:27dBm
    • 终止射频路径:24dBm
  • 高线性度:
    • IIP2/IIP3:95dBm/63dBm
    • CSO 和 CTB:-90dBc
  • 2.70V 至 3.60V 单电源电压
  • 3.3V 和 1.8V 兼容控制逻辑
  • 工作温度 -40 °C 至 +105 °C
  • 4mm × 4mm 20 引脚 LQFN 封装

F2970 坚固耐用,插入损耗低,75? SP2T (SPDT) 吸收式射频开关专为各种 CATV 和宽带射频应用而设计。该器件覆盖从 5MHz 到 3000MHz 的宽频率范围。除了具有出色的线性度和隔离性能外,它还提供了75?端接至隔离射频端口。

产品文档

数据表

2025-08-25

F2970_数据表_RevO

pdf | 3.69 MB
Product Brief

2025-08-25

射频开关 Family

pdf | 438.02 KB
Model - S-parameter

2025-08-25

F2970 S-Parameters

zip | 271.88 KB
应用 Brief

2025-08-25

IDT 产品 for Wired Broadband 应用s

pdf | 686.5 KB
Report

2025-08-25

PCN# : 220029 Add Alternate Assembly 地点s on VFQFPN and LGA 包裹s

pdf | 517.44 KB

Boards and Kits

Board Image

Evaluation Board for 高 Reliability SPDT Absorptive RF Switch

The F2970EVBI is a fully populated, enabling easy RF evaluation of the product. 

“Thru” calibration connectors are conveniently located on the eval board to simplify the calibration process prior to making any RF measurements. The RF through measurement (RF1 to RF2) can be made by 申请ing the correct control logic voltage to the control pins as outlined in the 数据表. DC power, ground and the control voltages are applied to the pin header.

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部件号 (3)

F2970NCGK

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F2970EVBI

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